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數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào):ZD-LT-100C
為解決太陽(yáng)能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀
該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡(jiǎn)便。
DZ-LT-100C有以下特點(diǎn):
1、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、 可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無(wú)需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)
用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體。
5、測(cè)量范圍寬廣
測(cè)試儀可直接測(cè)量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms
產(chǎn)品名稱(chēng):溫濕傳感器 溫度濕度傳感器 產(chǎn)品型號(hào):QXY8-DWHC2 |
溫濕傳感器/溫度濕度傳感器 型號(hào):QXY8-DWHC2
QXY8-DWHC2溫濕傳感器采用*PT100鉑電阻和進(jìn)口高性能濕敏單元,在測(cè)量精度穩(wěn)定性和時(shí)間響應(yīng)方面居國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品地位,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)對(duì)環(huán)境、溫度、濕度測(cè)量數(shù)據(jù)要求較高的部門(mén)使用。
技術(shù)參數(shù)
溫度
測(cè)量范圍: -50℃~ 60℃
Z大允許誤差: ±0.2℃
輸出信號(hào): 四線(xiàn)電阻輸出
濕度
測(cè)量范圍: 0% RH~100% RH
對(duì)應(yīng)模擬輸出: 0% RH~100%RH對(duì)應(yīng)于0V~1V
Z大允許誤差: ±1.5%RH (23℃±5℃)
±2%RH (-10℃~50℃)
±3%RH (-30℃~70℃)
長(zhǎng)期穩(wěn)定性: ≤1%RH/年
重復(fù)性: 0.5%RH
溫度系數(shù): ±0.05%RH/℃
工作溫度: -40℃~60℃
供電: 3.5V~50V DC(推薦5V DC)
穩(wěn)定時(shí)間: 500ms
功耗: ≤4mA
輸出負(fù)載: ≥10kΩ
電纜長(zhǎng)度: 3.5m
Z大外形尺寸: φ25mm×316 mm
重量: 0.35kg